第七代IGBT量产、第八代IGBT首发，国产大功率IGBT刷新电流纪录
功率半导体这条赛道上，能同时拿出两项”全行业第一”的中国企业并不多见。2026年8月至9月间，赛晶半导体在短短几周内接连亮出两张底牌：一款是全行业首发、全行业最大电流的1200V/1100A ED封装IGBT模块；另一款，是全球首家推出的、搭载真正第八代IGBT芯片技术的2300V/1600A XP模块。前者用的是已经批量出货、追平欧洲头部厂商水平的第七代微沟槽IGBT芯片，后者则是刚刚从实验室走到聚光灯下的第八代i26芯片组。两代技术、两个”第一”，几乎在同一时间点亮相，恰好构成了一条完整的技术升级路径——赛晶半导体不再只是跟跑者，而是在多个技术节点上开始定义行业标准。
作者：Bodo’s功率系统杂志编辑部
1200V/1100A ED模块：第七代芯片撑起的”全行业最大电流”
ED封装是工业变频、光伏逆变、储能PCS等场景里用得最多、也最讲究性价比的标准化封装形式，行业内通常称为EconoDUAL型模块。它的价值恰恰在于”标准”——同样的外形尺寸下，谁能把电流做得更大、可靠性做得更高，谁就掌握了单位成本的话语权。赛晶半导体在2026年6月的德国纽伦堡PCIM展会上，把这个”标准答案”改写到了1200V/1100A：全新1200V ED系列模块采用半桥拓扑，集成了业界领先的Pin-Fin直接液冷散热技术，针翅结构的散热方案让模块的功率处理能力比传统方案提升了近40%，确保1100A大电流输出时结温仍留有充分的安全裕量。
这颗模块背后，是芯片端一次实打实的代际跃迁。赛晶半导体总经理张强在接受采访时提到，这款模块采用通用标准封装、可直接实现进口替代，通过新材料与全新结构优化，把传统的1200V/600A产品直接升级到了1200V/1100A，输出能力大幅提升，而支撑这一切的正是赛晶第七代微沟槽IGBT芯片——一款让赛晶在性能上首次追平欧洲头部厂商、并推出全球首款同封装1100A大功率模块的芯片平台。2026年半年报进一步印证了这一进展的分量：公司在模块端”全面切换7代IGBT芯片，推出行业首发1200V/1100A ED封装IGBT模块”；而在8月的中期业绩发布会上，管理层更直接给出了定性判断——”我们研发推出了全行业最大的1200V 1100A IGBT模块，在该领域取得了历史性突破”。这不是一句公关式的自我肯定：搭载第七代i23系列芯片的产品当期已经开始批量出货，并成功通过国内商用车电驱领域某领军企业的严苛路测，进入重卡供应链——重卡对IGBT的功率等级和可靠性要求远高于一般工况，能够通过验证本身就是对芯片性能的一次硬指标背书。
2300V/1600A XP模块：世界首家的”真正第八代”
如果说1200V/1100A ED模块是第七代芯片交出的答卷，那2300V/1600A XP模块就是赛晶半导体向下一代技术发起的正面冲锋。今年9月初，赛晶半导体正式对外宣布：”世界首家推出真正第八代2300V IGBT，1600A全行业最大电流，XP模块。”这款模块具备高可靠性——可耐受温度冲击、盐雾及高海拔等恶劣工况；并联均流优异——多模块并联时电流均衡、便于系统扩容；功率密度更高——整机结构更紧凑、释放安装空间，目标场景直指海上风电、大容量储能、大功率制氢、轨道交通与大功率光伏五大高增长领域。
在 PCIM Asia 深圳 2026 上，赛晶半导体高级研发工程师 Nick Schneider 首次系统披露了新一代 i26 系列 2300V IGBT 芯片组——它正是这款模块的技术核心。功率变换系统正在全面迈向高压化。以光伏为例，主流系统直流母线电压已普遍提升至 1500V，传统三电平 1200V IGBT 方案正加速被两电平高压方案替代。风电系统正经历同样的电压跃迁：当前主流机组并网电压为 AC 1140V，而下一代系统将提升至 AC 1800V，对应直流母线电压高达 3000V。在这一电压等级下，三电平拓扑中每个开关器件需承受母线电压的一半，即 1500V 工作电压，叠加关断过压裕量后，2300V 耐压成为精准匹配的选择——i26 系列 2300V IGBT 芯片组正是为这一需求而生。与此同时，3000V 级母线对芯片的绝缘耐压和漏电流控制提出了前所未有的更高要求，这也正是 i26 系列在芯片设计上的核心突破方向。
赛晶给出的方案是：XP封装半桥模块额定电流达到1600A，可直接替代传统的ED3封装，绝缘性能与爬电距离均满足标准要求；其搭载的i26芯片采用超精细元胞间距设计，通过特征尺寸微缩提升元胞密度、优化栅极与发射极沟槽排布，并以氢离子注入实现定制化场截止层，从而支持更激进的晶圆减薄——在降低导通与开关损耗的同时，兼顾了关断可控性、短路安全工作区（SCSOA）与反偏安全工作区（RBSOA）。与之搭配的QLLC二极管，则通过阳极注入效率调控、载流子寿命控制与漂移区厚度优化，实现了更柔和的反向恢复特性和更充裕的安全工作区。在750A、1500V、175°C的实测条件下，i26系列IGBT与QLLC二极管相比基准器件展现出更优的损耗折衷；在1300A、1500V、25°C的关断测试中，优化后的接触布局方案能在远短于常规布局的开关时间内达到相同的dV/dt水平，验证了芯片组在大电流工况下的可控性与鲁棒性。
两代技术并行，走出一条清晰的向上曲线
把这两个事件放在一起看，会发现赛晶半导体走的不是”押宝一款产品”的路子，而是一条清晰的技术梯队打法：第七代i23微沟槽芯片已经完成从样品到量产的跨越，撑起了1200V/1100A这样的走量主力产品，并在商用车、光伏、储能等应用里拿到了真金白银的订单；第八代i26芯片组则代表着面向2300V高压平台、面向AI数据中心和新一代可再生能源变流器的下一步棋，2026年半年报里”第7代微沟槽IGBT推出1050V产品和2300V工程样品”的表述，正是这条技术路线承上启下的真实写照。两代芯片、两个封装平台、两个全行业第一，几乎同步走到了聚光灯下——这在功率半导体这样一个需要长周期、重资产投入的行业里，并不常见。
这条曲线的起点其实并不高。2019年初赛晶半导体正式启动自主IGBT技术项目，同年落户浙江嘉善生产基地，研发团队以原ABB半导体技术团队为班底；2020年9月，公司推出的首款自研芯片是i20系列，采用第四代沟槽栅技术，规格仅为1200V/250A，彼时的定位也只是”优于国际上部分厂商的第四代芯片”。短短六年，赛晶从1200V/250A的第四代芯片，走到了1200V/1100A的第七代芯片规模化出货，又一路走到了2300V/1600A的第八代芯片全球首发——这不是简单的参数堆叠，而是一次又一次在封装结构、散热工艺、芯片终端设计上死磕出来的代际跨越。
IGBT和碳化硅器件长期被视为电力电子设备的”心脏”，也是过去十几年里被欧美日大厂牢牢把持的关键部件。从2019年组建团队、2020年推出追赶型的第四代芯片，到今天在7代芯片实现批量替代进口的同时，用8代芯片第一次跑到了行业最前面——赛晶半导体这条路径，某种意义上正是国产功率半导体从”跟跑”走向”并跑”乃至局部”领跑”的一个缩影。当2300V/1600A的第八代IGBT第一次挂上”世界首家”的标签时，它所代表的已经不只是一颗芯片的参数突破，而是国产研发力量在高压大功率赛道上，第一次拿到了定义规则的入场券。