用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET推出，采用可降低开关损耗的4引脚封装
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET—“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。
新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO–247–4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。
使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。
东芝将继续扩大自身产品线，进一步契合市场趋势，并助力用户提高设备效率，扩大功率容量。
使用新型SiC MOSFET的3相逆变器
- 应用：
– 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
– 电动汽车充电站
– 光伏变频器
– 不间断电源（UPS）
- 特性：
– 4引脚TO-247-4L(X)封装：
栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，可降低开关损耗
– 第3代碳化硅MOSFET
– 低漏源导通电阻×栅漏电荷
– 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）
- 主要规格：
注：
[1] 截至2023年8月 [2] 截至2023年8月，东芝测量值（测量条件：VDD＝800V、VGG＝+18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta＝25℃）如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：
TW015Z120C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW015Z120C.html
TW030Z120C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW030Z120C.html
TW045Z120C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW045Z120C.html
TW060Z120C
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TW140Z120C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW140Z120C.html
TW015Z65C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW015Z65C.html
TW027Z65C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW027Z65C.html
TW048Z65C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW048Z65C.html
TW083Z65C
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TW107Z65C
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MOSFET
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有关更多东芝解决方案的相关信息，请访问：
应用
- 服务器
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- 不间断电源
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- LED照明
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