规划建设新晶圆厂，强化布局SiC功率半导体产业

三菱电机集团近日宣布，将之前宣布的投资计划（到2026年3月）翻一番，达到约2600亿日元，用于建造一座新的晶圆厂，以增加碳化硅（SiC）功率半导体的产量。根据该计划，三菱电机将对电动汽车用SiC功率半导体快速增长的需求做出反应，以及满足需要低能耗、高温运行或高速开关等不断扩大的新应用领域。该计划还将使三菱电机能够为全球节能和脱碳的绿色转型趋势做出贡献。

此次投资的追加部分（约1000亿日元）主要将用于建造一座新的8英寸SiC晶圆厂，并增加相关生产设施。这座新工厂将充分利用位于熊本县泗水地区的自有工厂，生产大直径8英寸SiC晶圆，并引进一个具有先进能源效率和高自动化生产效率的洁净室。此外，该公司还将加强6英寸SiC晶圆的生产设施，以满足该行业日益增长的需求。

同时，三菱电机还将投资约100亿日元建设一座新厂房，该工厂将整合目前分散在福冈地区的现有业务，用于功率半导体的封装和测试。构建从设计、开发到生产技术验证的一体化体系，大大提升公司的产品开发能力，便于及时量产以响应市场需求。新追加投资的全部剩余200亿日元，将用于设备改进、环境管理和相关运营。

多年来，三菱电机在家用电器、工业设备和轨道车辆等领域引领着SiC功率模块市场，早在2010年10月SiC器件开始应用于空调逆变器，2011年10月应用于轨道车辆逆变系统，在生产高性能、高可靠性SiC功率半导体方面积累了丰富的经验。