专为AI服务器电源优化 | 25V/80V MOSFET双面散热源极朝下封装
新款 MOSFET 专为满足高功率密度及增强型散热应用而设计，采用 DFN 3.3x3.3 双面散热、源极朝下（Source-down）封装，并集成了创新的栅极中置布局技术，能够有效简化 PCB 走线设计，提升系统布板灵活性与电气性能
日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited推出了两款新产品——AONC40202（25V MOSFET）和AONC68816（80V MOSFET）。这两款器件采用了先进的DFN 3.3×3.3双面散热封装技术，源极朝下的设计能够有效提升散热性能。它们专为AI服务器中的中间总线转换器（IBC）DC-DC应用而打造，旨在满足高功率密度需求，并应对数据中心对散热性能的严苛挑战。
AONC40202 和 AONC68816 采用了针对外露漏极触点进行优化的顶部夹片设计，显著增大了双面散热的有效面积，能够更迅速地将热量从散热器中导出，从而有效降低器件运行时的温度。相比传统的单面散热方案，双面散热技术能够从根源上减少热量的产生与热应力，成为设计人员在应对高功耗挑战时的理想选择。得益于配备的大型顶部夹片，这两款 MOSFET 的封装实现了极低的热阻值，其顶部热阻（Rthc-top）最大值仅为 0.9°C/W，确保了在高功率密度应用中的卓越热性能与可靠性。
此外，AONC40202 支持高达 405A 的持续电流，最高结温可达 175°C，这些出色的电气特性为系统级性能带来了多重提升，包括更高效的热管理能力、更高的功率密度支持以及整体运行效率的优化。其采用的“源极朝下”（Source-down）封装技术，不仅增大了 PCB 上的源极接触面积，有助于降低导通电阻和提升散热效果，同时栅极中置的布局设计也大幅简化了 PCB 布线，能够有效缩短栅极驱动器的连接路径，从而进一步提升开关性能和系统可靠性。
AOS MOSFET 产品市场资深总监 Peter H. Wilson 表示：“随着 AI 服务器对电源性能提出日益严苛的要求，我们推出的这两款最新 MOSFET 正是为了应对这一挑战。它们采用的双面散热 DFN 3.3×3.3 源极朝下（Source-down）封装技术，相较于传统封装方案，在降低功率损耗和提升散热效率方面表现尤为出色。不仅如此，AONC40202 和 AONC68816 还集成了最新的 AlphaSGT™ 硅技术。这种将增强型散热设计与先进硅技术相结合的创新方案，为 AI 电源设计人员提供了一种兼顾高功率密度、优异可制造性与长期应用可靠性的整体解决方案。”
Technical Highlights技术亮点
| Part Number | Package | VDS (V) | VGS (±V) | TJ
(°C) |
Rthjc Max
(C/W) |
Continuous Drain Current (A) | Pulsed Drain Current (A) | RDS(ON) Max (mOhms) @10V | |
| Top | Bottom | @25°C | @25°C | ||||||
| AONC40202 | DFN3.3×3.3A | 25 | 12 | 175 | 0.9 | 1.1 | 405 | 644 | 0.7 |
| AONC68816 | DFN3.3×3.3A | 80 | 20 | 175 | 0.9 | 1.1 | 119 | 476 | 4.7 |
Pricing and Availability报价与供货
AONC40202 和 AONC68816 MOSFET 现已正式进入量产供货阶段，标准交货周期为 14 至 16 周。以 1,000 颗为批量单位，AONC40202 的单价为 1.85 美元；AONC68816 的单价为1.95 美元。