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查询Tags标签:GaN,共有42条记录
  • 扩大40V eGaN®FET的产品陈容

    新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET),器件型号为EPC2069,专为设计人员而设,EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠,适用于高性能且空间受限的应用。宜普电源转换公司(EPC)…

    2021/9/28 17:19:51
  • 携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发

    【2021年9月8日,德国慕尼黑和日本大阪讯】英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)和松下公司签署协议,共同开发和生产第二代(Gen2)成熟的氮化镓(GaN)技术,提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性与8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力相结合,标志着…

    2021/9/8 20:11:30
  • 新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容

    宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓 (eGaN) 功率 晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2065 和 EPC2054具备更高的性能和更低的成本等优势。

    2021/6/18 9:15:24
  • 在APEC 2021虚拟会议暨博览会上,展示在多种应用中 使用eGaN®FET和集成电路的高功率密度解决方案

    宜普电源转换公司(EPC) 的氮化镓专家将在APEC展示最新的增强型氮化镓场效应晶体管和集成电路的发展,并探讨氮化镓技术的卓越性能如何改变了具高功率密度的计算、车载、电动运输和机器人等应用的电源供电。EPC团队将在6月14日至17 日举行的APEC虚拟会议暨博览会上,进行多…

    2021/6/8 15:00:34
  • 氮化镓功率芯片的行业领导者以10.4亿美元的企业价值上市

    氮化镓功率芯片的行业领导者,纳微半导体(“公司”或“纳微”)近日宣布,其已签订一份最终协议,将与Live Oak Acquisition Corp. II(“Live Oak II”)合并。Live Oak II是一家公开交易的特殊目的收购公司。合并后的实体预估值为14亿美元。本次交易将使纳微成为一家以…

    2021/5/14 10:40:17
  • 面向30 W-500 W功率级应用的 CoolGaN™ IPS系列产品

    采用氮化镓(GaN)这种宽禁带(WBG)材料制成的功率开关凭借其出色的效率及高速切换频率,开启了功率电子的新时代。

    2021/5/12 15:25:06
  • 发力第三代半导体

    南韩近期启动「X-band GaN国家计划」冲刺第三代半导体,三星积极参与。由于市场高度看好第三代半导体发展,台积电、世界等台厂均已卡位,三星加入南韩官方计划冲刺第三代半导体布局,也点燃半导体业新战火。第三代半导体主要和氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)两种材料有关,…

    2021/5/12 15:12:36
  • 由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的 1.5 kW 48 V/12 V DC/DC演示板

    EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器,以小型化解决方案提供1.5 kW功率,效率为97%,适用于轻度混合动力汽车和电池备用装置。宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9137,这是一款1.5 kW的两相48 V/12 V双向转换器,占板面积小,效率为97%。该演示板的设计是可扩展的–…

    2021/5/12 14:54:59
  • 氮化镓功率芯片市场年增长率 70%

    根据外媒The Elec消息,研究机构 Yole Development 近日公布了2020-2026年氮化镓功率芯片市场报告。报告显示全球功率氮化镓芯片市场将在未来 5 年持续增长,每年增长率达到 70%。统计数据显示,2020 年该市场为 4600 万美元,如果按照这个速度,在 2026 年将达到 11 亿美…

    2021/5/12 13:21:04
  • 基于氮化镓集成功率级的400 W电机驱动器演示板,展示如何实现更高效、运行更安静和尺寸更小的电机

    宜普电源转换公司(EPC)宣布推出400 W电机驱动演示板(EPC9146),包含三个独立控制的半桥电路,采用集成了栅极驱动器的单片式EPC2152 ePower™功率级,其最大电压为80 V和最大输出电流为15 A(10 ARMS)。板的尺寸仅为81 mm x 75 mm,在输出功率为400 W时,可实现超过98.…

    2021/5/8 10:19:20
  • 针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路,开发出针对150V耐压GaN HEMT*1(以下称“GaN器件”)的、高达8V的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2技术。

    2021/4/8 16:29:41
  • 氮化镓功率器件市场 2021 年增长率可达 90.6%

    TrendForce 集邦咨询近日发布了 GaN 氮化镓市场调查报告。报告显示,尽管 2018 年至 2020 年以氮化镓为代表的第三代半导体产业受到贸易摩擦、疫情影响增长受到压力,但 2021 年该产业成长动能有望高速回升,预计 GaN 氮化镓功率器件市场规模将达到 6100 万美元,年增长率…

    2021/3/15 9:30:00
  • 就氮化镓领域达成深度合作

    近日,基础半导体器件领域的专家Nexperia(安世半导体)宣布与国内汽车行业主要供应商联合汽车电子有限公司(简称UAES)在功率半导体氮化镓(GaN)领域展开深度合作,旨在满足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技术需求,共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发…

    2021/3/15 8:40:46
  • 氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下

    GaN(氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。 这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。 随着全球众多消费者,企业和工业市场客户的产量提高,GaN …

    2021/3/12 9:41:59
  • 氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地在苏州园区奠基!

    近日,苏州纳维科技有限公司在园区举行总部大楼奠基仪式啦。项目位于苏州纳米城,总用地面积14000平方米,总建筑面积约34000平方米,将建设成为国际前三的氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地与高端产品生产基地,预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。园区党工委副书记、管委…

    2021/1/26 11:03:55
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