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查询Tags标签:宽禁带,共有7条记录
  • 国产SiC & GaN功率器件已达国际一流水平,组建欧洲销售团队“出海

    日前,SiC & GaN功率器件设计和方案商派恩杰官方正式宣告与德国Foxy Power合作组建欧洲&北美销售团队。派恩杰负责市场与销售的副总裁高治廷先生表示:“过去三年,派恩杰潜心研发,已经发布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、650V , 1200V , 1700V , 750V SiC M…

    2021/9/8 19:27:03
  • 仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性

    开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。特别提醒仿真无法替代实验,仅供参考。1、选取仿真研究对象SiC MOSFETIMZ120R…

    2021/9/6 15:43:18
  • 50余款达国际一流水平的国产SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT及应用DEMO即将亮相PCIM展

    据2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM展)主办方公布的信息,第三代半导体设计和方案商派恩杰半导体已确定参展,展位号E43。成立于2018年9月的派恩杰半导体,目前已是国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一,参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。2019…

    2021/9/5 14:52:28
  • 使用氮化镓IC对离线式电源的大电容进行优化

    USBPD 3.0和Type-C连接器的普及使用,有望使过去各行其是的电子细分市场的电源适配器实现标准化。旅行者需要为笔记本电脑和手机携带单独的适配器的日子已经一去不复返了。非原厂适配器制造商正集中精力应对这一新的市场机会,力争占据一席之地。对于更高功率密度的高效、…

    2021/8/17 11:35:14
  • 新的超高密度离线电源方案

    推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出业界首款专用临界导通模式 (CrM) 图腾柱PFC控制器,是该公司超高密度离线电源方案集的新成员。在传统的PFC电路中,整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W,占总损耗的20%左右。相比之下…

    2021/7/2 8:22:49
  • 借助更合适的同步整流技术满足市场需求

    作者:罗姆半导体前言同步整流(SR)控制器能够提高电源的转换效率。本文将一起探讨它们的优势以及它们如何使电源开发人员的工作更轻松。凭借出色的性能,宽带隙(WBG)功率半导体-比如碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)-正在取代以往占主导地位的硅解决方案,这标志着市场的…

    2021/5/13 14:07:37
  • 强劲可靠的栅极驱动器为快速开关碳化硅(SiC)功率模块提供支持

    各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布,为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器,以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。该新型栅极驱动器板旨在为高功率密度转换器提供支持,可以安全地驱动快速开关碳化硅功率模块以实现低损耗,同时可以在空间受限的电…

    2020/2/7 13:20:52
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