三菱电机 2025-26 回顾与展望
公司：三菱电机（上海）有限公司半导体事业部
受访人：宋高升
职位：首席技术顾问
2025 年回顾｜回顾 2025 年，贵公司在电力电子与功率半导体领域取得了哪些关键进展？
·在产品布局、技术迭代或产业协同方面，是否实现了阶段性突破？
·是否有具有代表性的项目落地、重要客户合作或应用场景拓展值得分享？
2025 年是三菱电机功率半导体 “技术 + 产能 + 生态”全面发力的一年，SiC 与硅基协同，支撑碳中和与新能源转型。
在硅基 IGBT 技术方面，第 8 代 IGBT 采用“CSTBT ™ + 超薄晶圆 + 分段栅”技术，实现 dv/dt 和 di/dt 的精准控制，适配电机驱动与新能源发电。福山工厂的 12 英寸硅 IGBT 晶圆量产，稳定了硅基功率模块产能，进一步降低了家电用 IPM 的成本。
在 SiC 技术方面，第 4 代沟槽栅 SiC MOSFET，通过优化沟槽侧壁 P 型柱缓解沟槽底部电场，提升栅极可靠性，其比导通电阻相比平面栅结构降低 50%，已用于 J3 系列电动汽车专用模块。熊本泗水工厂的8 英寸 SiC 晶圆产线已于 10 月竣工，将于 2026 试产，期待解决大尺寸 SiC 晶圆良品率与成本瓶颈。
2025 年 6 月，三菱电机与 GE Vernova 公司签署谅解备忘录，强化双方在 HVDC 输电系统用高压功率半导体领域的合作。
2025 年 10 月，与台湾工研院（ITRI）签署大容量电力变换系统合作协议，聚焦大容量 Si/SiC 功率模块在电网 / 储能中的应用，进行联合开发与验证。
截止到 2025 年末，三菱电机的 SiC SLIMDIPTM 获多家头部家电厂商认证，加速变频家电能效升级。
技术与产品创新｜ 2025 年，贵公司在技术创新或新产品研发方面有哪些值得关注的成果？
·这些技术或产品如何帮助客户提升能效、功率密度、系统稳定性或整体拥有成本（TCO）？
过去一年，三菱电机凭借在 Si 和 SiC 功率半导体领域的深厚积淀和创新能力，推出了诸多有市场影响力的产品。
面向家电应用，三菱电机推出了 SiC 智能功率模块——全碳SLIMDIPTM 和 混 碳 SLIMDIPTM。 全 碳 SLIMDIPTM，内置了专为SLIMDIPTM 封装优化的 SiC MOSFET 芯片，显著提高输出功率，可有效降低功率损耗，助力提升家电能效。混碳 SLIMDIPTM 内部封装了多个元件，采用同一 IC 来驱动并联的 SiC MOSFET（低电流下的低导通电压特性）和 Si RC-IGBT（高电流导通特性），同样实现了功率损耗的显著降低。
全碳与混碳 SiC SLIMDIP
此外，在 DIPIPMTM 家族原有 7 个封装的基础上，三菱电机为变频家电和工业设备应用开发了全新的第 8 个封装——Compact DIPIPMTM，该系列目前包括 30A/600V 和 50A/600V 两个规格。通过采用 RC-IGBT，该模块的封装尺寸已缩减至第 7 代 Mini DIPIPM 的53%，有助于客户在柜式空调等应用中实现更紧凑的逆变控制器。该产品新增用于桥臂短路保护的互锁功能，并将工作温度下限扩展至-40°C，有助于推动在冬季寒冷地区更广泛地使用变频空调。
Compact DIPIPM
面向新能源发电应用，三菱电机实现重要技术突破，尤以开始供应第 8 代 IGBT 模块最为瞩目。以 LV100 封装产品（如 CM1800DW-24ME）为例，该模块专为太阳能及其他可再生能源发电系统打造。通过优化 IGBT 与 FWD 芯片布局，其额定电流从第 7 代的 1200A 大幅提升至 1800A，助力逆变器显著提高输出功率。同时，创新采用分段栅及深层缓冲层技术，有助于降低导通与开关损耗。加之 LV100 封装便于并联连接，可灵活兼容多种功率等级的逆变器方案，为新能源发电效率提升注入强劲动力。
第 8 代 IGBT 模块（1800A/1.2kV）
面向轨道牵引应用，三菱电机新推出了 XB 系列 HVIGBT，包括1500A/3.3kV、1200A/4.5kV 和 750A/6.5kV。该系列 HVIGBT 通过采用三菱电机专有 RFC 二极管和 CSTBT 芯片，搭配独特的芯片终端结构和表面电荷控制技术，增大芯片有源区面积，同时提升抗湿性，有效提升复杂环境下牵引变流器的运行效率与可靠性。
XB 系列 HVIGBT 模块（3.3kV/1500A 型）
面向电动汽车应用，在原有主驱逆变用 J3 系列 SiC MOSFET 模块的基础上，三菱电机开发了采用 J3-T-PM 紧凑型封装的 J3 系列SiC 固态继电器模块，用于替代电池断路单元的机械继电器，包括双向和单向开关两种内部电路结构。
J3 系列 SiC 固态继电器（双向 & 单向）
市场与客户｜ 2025 年，市场需求和客户结构是否发生了明显变化？
· 新能源汽车、光伏储能、数据中心、工业电源等关键应用领域，哪些成为增长的主要驱动力？
· 客户在技术支持、定制化、交付稳定性方面提出了哪些新的要求？
2025 年的市场确实出现不少明显变化。电源、EV、家电等领域对SiC 器件的需求持续提升，新项目导入速度也比前几年明显加快。EV客户依然保持活跃，电力传输相关应用市场近期也在加速成长，像输配电、储能等，推动中高压功率器件需求同步提升。另外，随着中国功率半导体制造业的崛起，三菱电机自 2025 年起向中国市场开放 SiC 芯片销售业务。目前，我司已与多家国内功率器件厂商展开合作，共同推进一些颇具潜力的新项目。整体来看，市场需求正持续往高效率、低能耗方向发展。
四、2026 年展望｜展望 2026 年，您认为哪些趋势将持续影响电力电子与功率半导体行业？
· SiC / GaN 的应用是否会进一步加速？在哪些细分市场最具潜力？
· 功率模块高度集成化、系统级封装（System-in-Package）或“器件 + 软件”方案是否会成为新方向？
· 在“双碳目标”、能源转型和数字化浪潮下，企业应如何提前布局、把握长期机遇？
2026 年，功率半导体将向宽禁带渗透、应用结构性分化、成本与产能博弈中持续演进，同时伴随价格战与行业洗牌。
新能源汽车：作为 DC800V 电驱平台的标配，随着 8 英寸 SiC 衬底扩产加上良率提升，价格战加剧；1200V 车规级 SiC 模块向薄片、沟槽和双面散热演进。而且，将有更多车企投身更高电压（DC1000V）电驱平台的研发，市场渴望高性价比的 1400V 车规级 SiC 模块。同时， OBC、DC/DC、充电桩用 GaN/SiC 替代加速，整车厂将逐步推动功率器件标准化。
数据中心：数据中心（尤其是 AI 算力中心）的供电向兆瓦级机柜、直流 800V HVDC 升级，功率半导体需求聚焦高效、高密度、高可靠、高压高频等方面， SiC/GaN 将加速替代硅基器件。
光伏与储能：能源转型提升高压大功率器件需求；三电平 / 多电平拓扑普及，推动 IGBT/SiC 模块升级；光伏逆变器向 1500V+ 演进，储能 PCS 需求增长，带动高效率功率半导体出货。
eVTOL：2026 年仍是 eVTOL 进入规模化量产的前期，功率模块将以 SiC MOSFET 为主流，围绕高压、高频、轻量化、高可靠、强冗余、低损耗六大核心需求展开，同时满足适航认证与商业化降本要求。功率半导体厂商期待该行业出台 eVTOL 用功率模块的相关标准。