突破功率密度极限：AOS aMOS E2™平台全解析

Bodo's功率系统2026年3月31日

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“提升系统功率密度”在媒体资料上或许只是文字意义上的亮点，然而，在150°C的严苛换流条件下依然能够稳健运行，才是真正考验技术实力的关键所在。aMOS E2 MOSFET平台专为满足现代电力电子对高效率与高功率密度的双重需求而设计，其强大的雪崩耐量确保系统在过压下的安全，极高的鲁棒性抵御各种冲击，更长的短路耐受时间则为系统保护争取了宝贵窗口。集成这些特性旨在助力电源和逆变器设计人员轻松实现更高效率。

aMOS E2™的卓越特性：高效、安全可靠

aMOS E2™ 600V 超结 MOSFET 平台旨在帮助工程师从容应对高效、高密度电源设计中的各项挑战。该先进平台内置了具备高鲁棒性的体二极管，即使在异常短路、浪涌电流冲击或启动瞬态等严苛的硬换流条件下，也能凭借杰出的抗短路能力、良好的电流承载能力与出色的反向恢复特性，确保系统安全可靠地运行。

图｜典型的电气与热性能参数

作为该平台的首款高压产品，AOTL037V60DE2 600V MOSFET 以其卓越表现充分印证了 aMOS E2™ 平台的技术可行性。aMOS E2系列依托新一代超结架构与工艺优化，栅极驱动响应上实现突破性升级：栅极时间常数3·Rg·Ciss(Ω*nF) 较同规格主流竞品低10ns，作为栅极驱动响应的核心量化指标，更小的栅极时间常数可大幅加快栅极充放电速率，有效缩短开关延迟与过渡时间，实现ZVS软开关应用下更快的栅极上升沿，适配LLC、移相全桥等主流软开关拓扑。

图｜栅极时间常数对比

为直观量化产品优势，我们针对aMOS E2平台关键性能指标进行专项测试，通过实测波形与数据，全方位展现本产品相较同规格竞品的关键性能差距。

AOS 内部测试数据显示，此器件在短路测试时，可持续10us以上短路时间，如下图短路测试性能对比及短路测试实测波形所示，展现出比竞品高出 50% 的抗短路能力，此特性在逆变器的应用中尤其重要。

图｜短路测试性能对比（SCWT）

图｜短路测试实测波形

在涌浪电流测试中，该器件可承受高达 2.7kA、持续 200us 的电流冲击，如下图三所示，能有效应对如图腾柱 PFC 在面对市电瞬态大电流冲击，确保系统的稳定运行。

图｜涌浪电流测试

在 150°C 结温的反向恢复测试中，如下图所示，该器件的体二极管可承受高达 1500 A/µs 的电流变化率（di/dt），展现出极强的硬换流鲁棒性，此特性在 LLC 的应用场景至关重要。

图｜体二极管反向恢复测试

更值得一提的是，与同类竞品相比，AOTL037V60DE2 在雪崩非钳位感性开关（UIS）能力此项关键可靠性指标上均表现更为出色。这种增强型的器件耐受性，直接转化为更高的系统级可靠性——确保电源系统即使在异常工况下，依然能够保持稳健运行，从容应对各种突发挑战。

聚焦关键应用：从工业到服务器

aMOS E2™ 平台可广泛应用于从服务器、工作站、电信整流器，到光伏逆变器、电机驱动及工业电源系统等多样化的终端场景，为各类严苛应用注入新的动力。

凭借 AOS aMOS E2™ 高压超结 MOSFET 平台的突破性技术，以及全新推出的 AOTL037V60DE2 600V MOSFET，设计人员如今能够更轻松地在电源、转换器和逆变器应用中实现更高的功率密度与效率。

αMOS E2™ 600V 超结MOSFET平台：满足新一代电源管理与高效能应用的需求

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