4款全新沟槽栅型 SiC MOSFET 裸芯片样品正式发布，用于功率器件应用

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三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款全新沟槽型¹ SiC-MOSFET裸芯片（未封装在封装材料中的芯片），该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器²，车载充电器³以及太阳能发电系统等可再生能源的功率系统等中的功率器件而设计。这些新型功率半导体裸芯片适用于在各种功率器件中进行封装，且在保持性能的同时降低功耗。三菱电机将于1月21日至23日在东京举行的第40 届日本Nepcon研发与制造展上展出全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸片，并将在北美、欧洲、中国、印度及其他地区参展。

随着全球为实现脱碳目标而做出的努力，功率器件市场预计将会扩大。作为这一趋势的一部分，对嵌入高性能功率半导体的需求正在增长。高效的功率芯片使电动汽车主驱逆变器和可再生能源供系统等在保持高性能和高品质的同时降低能耗。

自2010年以来，三菱电机开始销售SiC功率半导体模块，这些模块能够显著降低空调、工业设备和铁路车辆逆变系统的能耗。为满足对先进功率半导体裸芯片的需求，三菱电机现推出了4款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，这些芯片与三菱电机现有沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片类似⁴，但是对沟槽栅型SiC-MOSFET结构进行了进一步优化，与平面栅型⁵SiC-MOSFET相比，功率损耗降低约50%⁶。此外，三菱电机专有的栅极氧化膜制造方法等制造工艺可抑制功率损耗和导通电阻的变化，能够确保长期使用中的可靠性。