全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块—“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。
这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅（Si）IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求，例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。
应用：
– 用于轨道车辆的逆变器和转换器
– 可再生能源发电系统
– 电机控制设备
– 高频DC-DC转换器
特性：
– 安装方式兼容Si IGBT模块
– 损耗低于Si IGBT模块
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃
Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃
MG400V2YMS3
VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃
Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃
– 内置NTC热敏电阻
主要规格:
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MG600Q2YMS3
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/intelligent-power-ics/detail.MG600Q2YMS3.html
MG400V2YMS3
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/intelligent-power-ics/detail.MG400V2YMS3.html
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碳化硅功率器件
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html