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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内最佳水平

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超级结器件降低传导和开关损耗,提高通信、工业和企业级应用能效

宾夕法尼亚、MALVERN — 2019年1月28日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平,该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。

Vishay提供支持所有功率转换过程的各种MOSFET技术,涵盖需要高压输入到低压输出的各种最新电子系统。随着SiHH068N60E的推出以及即将发布的第四代600 V E系列产品,我们可在设计电源系统架构的初期满足提高能效和功率密度的要求—包括功率因数校正和硬切换DC/DC转换器拓扑结构。

SiHH068N60E采用Vishay最新的高能效E系列超级结技术,10 V条件下典型导通电阻仅为0.059 Ω,超低栅极电荷下降到53 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC,比同类最接近的MOSFET低12 %。SiHH068N60E有效输出电容Co(er)和Co(tr) 分别仅为94 pf和591 pF,可改善开关性能。这些性能参数意味着更低的传导和开关损耗,从而达到节能效果。

日前发布的器件采用PowerPAK® 8×8封装,符合RoHS标准,无卤素,可承受雪崩模式下过压瞬变,并保证极限值100 %通过UIS测试。

SiHH068N60E现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。

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