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Nexperia LFPAK MOSFET 系列全新8 x 8 mm 器件使得功率密度提高达 48 倍

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LFPAK88 40 V 系列,汽车和工业产品组合,60% 的空间效率提升

Nexperia——分立器件、逻辑器件及 MOSFET 器件的全球领导者,近日宣布推出其 MOSFET 和 LFPAK 系列的新封装。该封装与其最新的硅技术相结合,可产生 40 V MOSFET,且提供 0.7 mΩ 的较低 RDS(on)。LFPAK88 器件取代了较大的功率封装,如 D²PAK 和 D²PAK-7。8 x 8 mm 的尺寸使得占位面积减少了 60%,外形尺寸减小了 64%。

与其他性能通常受内部键合线限制的封装不同,LFPAK88 器件采用铜片夹和焊接芯片连接结构,可降低电阻和热阻,实现良好的电流扩散和散热。此外,铜夹的热导性能还帮助减少了热点的形成,从而改善了雪崩能量 (Eas) 和线性模式 (SOA) 性能。经验证的高连续电流额定值 ID(最大值)425 A 与低 RDS(on) 0.7 mΩ 结合在小尺寸封装中,其具有市场领先的功率密度,与 D2PAK 封装器件相比,最高可提高达 48 倍。

此外,LFPAK88 具有低应力鸥翼引脚,是一种更坚固耐用且耐热的封装,其可靠性水平比 AEC-Q101 要求的性能高出两倍多。Nexperia 产品经理 Neil Massey 评论道:“将 LFPAK88 与我们的硅技术相结合,可以使 MOSFET 的功率密度达到 D2PAK 的 48 倍。这证明了 LFPAK 的发明者 Nexperia 仍然是这项技术的领导者。”

LFPAK88 MOSFET 分为汽车级 (BUK) 和工业级 (PSMN) 两种。汽车应用包括制动、助力转向、反向电池保护和 DC-DC 转换器,通过使用这种封装器件可以节省空间,这点在双冗余电路中特别有用。工业应用包括电池供电的电动工具、专业电源和电信基础设施设备。

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