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最新无线充电技术满足消费市场需求

Nick

EPC全球销售及市场营销高级副总裁Nick Cataldo

戴尔最近新推出了戴尔 Latitude 7285电脑它使用了EPC宜普电源的eGaN FET来实现无线充电功能这在无线充电发展领域是一个非常重要的里程碑。基于氮化镓技术并利用WiTricity的磁共振无线充电技术为人们的工作提供自由自在、没有电源线的环境。本刊记者采访了EPC全球销售及市场营销高级副总裁Nick Cataldo,向大家了解更多关于这一热点技术的详情。

作者:Bodo’s功率系统杂志徐敏

戴尔刚刚推出了内部采用GaNLatitude 7285笔记本。EPCGaN器件在笔记本电脑有什么样的功能有助于吸引消费者并有助于你们业务的增长

NC:EPC eGaN FET解决方案利用高度共振无线电源拓扑结构实现高效率、高性能,以及其他无线充电拓扑结构沒有的空间自由度。这使得终端用户能够随处充电而不会像其他技术必需对齐发射和接收器的充电问题。

在无线充电应用中,GaN技术如何比竞争对手产品更好地帮助客户

NC:eGaN FET以较高的开关速度工作所以转换器可以比硅MOSFET在更高的频率下工作消耗更少的能源。因此可以为最终用户实现更高的无线充电性能更高效率和更快速的电池充电。

除了无线充电应用,GaN在节能方面有沒有好处

NC:eGaN FET技术的整体优势是通过开关速度高使性能更优越加上其固有的更低开关损耗因此可以比传统MOSFET技术更节约能源。另外,eGaN FET的较低损耗产生优越的散热性能以更低温运行而能够节省能源

未来EPCGaN能否推动无线充电的發展可传送更高的功率/更大的电流吗

NC:EPC正在开发多项技术来实现多级无线功率传输如更高压的第五代产品、创新解决方案并与其他公司合作改善回波系统和控制。

无线充电可实现最高的功率/电流是多大

NC目前我们可以实现传送高达110 W功率的无线电源系统。

与碳化硅(SiC)相比,GaN是否更好?SICGaN的主要区别是什么

NC在商业方面一个主要的差异是碳化硅器件的成本远远高于氮化镓器件的成本。我们的解决方案所使用的是硅衬底而不是像其它GaN解决方案使用了SiC衬底。因此,EPC的解决方案是最具成本效益的。

此外碳化硅一般是针对650V3.5KV的应用。这是用于更高功率转换常见的电压范围。EPC eGaN FET的目标是不超过500 V的应用这是一个比650 V以上的市场更广阔的市场。

最后在未来10年里氮化镓場效应晶体管將取代现有MOSFET整体市场的大部分市场SiC将满足部分更高电压的特定市场。